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    供應青島福潤德牌frd-101PECVD設備

    • 總供應量500
    基本信息:
    • CCC功率
      220(W)
      是最大電壓
      220(V)
    • 淀積規格
      500*600
      福潤德額定溫度
      1231(℃)
    詳細信息:

    滿足半導體集成電路,電力電子器件,光電子等行業用于在硅片上淀積sio2、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難溶金屬硅化物等多種薄膜工藝。

    用等離子體增強的化學氣相沉積法(PECVD)是在等離子的幫助下進行處理的薄膜沉積工藝。在眾多的等離子產生辦法中,泰斯達PECVD反應系統使用了高密度的等離子源,如高頻(RF-PECVD)、微波(MW-PECVD)和電子回旋共振(ECR-PECVD)。其濃密的等離子適用于薄膜太陽能電池、表面改性、光和工業鍍覆、氮化硅鈍化、金剛石薄膜和其他。泰斯達所提供的PECVD系統可為客戶個體制造和研發需求量身定制。

    RF-PECVD

    非晶和微晶硅薄膜可以通過RF-PECVD進行高經濟效益的沉積。這些薄膜組成了非晶硅太陽能電池的吸光層或串聯硅電池(非晶硅 微晶硅)。我們提供了為客戶設計的RF-PECVD系統,可以在任何類型的太陽能電池上使用。非晶硅太陽能電池的泰斯達標準的RF-PECVD系統被配置為四個處理室群。其設計可處理高達12"/300 mm見方的基板。處理室可以自動或手動裝載。這個系統是與FCS-10/30處理控制器和DCS30數據收集系統同時出現的。

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